特許

J-GLOBAL ID：200903007187005647

透明電極基板及びその作製方法並びに光起電力素子

発明者： 山本 武志 ,  酒井 総一 ,  松見 伸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316223
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150928
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 テクスチャ表面構造を有する透明導電性膜を備えた透明電極基板を容易に作製する。【解決手段】 透光性基板1上に、スパッタリング法にて、アルミニウム膜21を形成し(a)、アルミニウム膜21を部分的にエッチング除去してその表面を凹凸化し(b)、大気中または窒素雰囲気中での加熱により、アルミニウム膜21を酸化または窒化させて、結晶化された酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムのアルミニウム化合物膜2に変化させ(c)、スパッタリング法にて、酸化亜鉛または酸化錫からなる透明導電性膜3を形成して、透明電極基板を作製する(d)。

請求項（抜粋）：

スパッタリング法にて透明導電性膜を透光性基板に形成してなる透明電極基板において、前記透光性基板と前記透明導電性膜との間に、凹凸化したアルミニウム化合物膜を備えることを特徴とする透明電極基板。

Fターム (9件)：

5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 透明導電膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066465   出願人：株式会社富士電機総合研究所
• 特開昭61-241983
  
• 特開昭61-216489