特許
J-GLOBAL ID：200903007195537909
多面取り薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080082
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287250
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 1枚の基板上に複数の薄膜トランジスタアレイが配置された薄膜トランジスタアレイ基板完成後に、簡易な導通検査により、層間短絡が検査可能でコンタクト点数が少なく、かつ短絡発生面が特定可能な短絡用配線を有する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法を提供する。【構成】 1枚の基板上にm行n列(但しm>1,n>1)の薄膜トランジスタアレイを配置した多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、各薄膜トランジスタアレイの短絡用配線を薄膜トランジスタを構成するアドレス線と、データ線と、補助容量線毎に電気的に分離するとともに、そのアドレス線と、データ線と、補助容量線を、それぞれ行単位・列単位・斜め対角単位に連結した短絡用配線41,42,43を設ける。
請求項（抜粋）：
1枚の基板上にm行n列(但しm>1,n>1)の薄膜トランジスタアレイを配置した多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、各薄膜トランジスタアレイの短絡用配線を薄膜トランジスタを構成するアドレス線と、データ線と、補助容量線毎に電気的に分離するとともに、該アドレス線と、データ線と、補助容量線をそれぞれ行単位・列単位・斜め対角単位に連結した短絡用配線を具備する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/66
, H01L 29/786
