特許
J-GLOBAL ID：200903007198600199
巨大磁気抵抗効果材料膜およびその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-078022
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279117
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、FeMnのような耐食性および耐環境性に問題を有する材料を用いることなく耐食性と耐熱性に優れ、電流の分流損が生じないとともに、磁性膜の保磁力差を利用して巨大磁気抵抗効果を得る構成であるものの、保磁力差をつける磁性膜を同質のもので構成することができ、しかも低磁界で磁化の回転を行う膜の保磁力を小さくすることができ、小さな磁界で大きな抵抗変化を得ることができる巨大磁気抵抗効果材料膜とその製造方法およびそれを用いた磁気ヘッドの提供を目的とする。【構成】 本発明は、少なくとも2層の強磁性層22、24が、非磁性層23を介して基板20上に生成され、前記強磁性層のうち、少なくとも一層が強磁性層と隣接して設けられた保磁力増大層21により磁化反転がピン止めされて保磁力が大きくされ、他の強磁性層の磁化が自由にされてなり、低磁界において磁気抵抗変化を生じるものである。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の強磁性層が、非磁性層を介して基板上に生成され、前記強磁性層のうち、少なくとも一層が強磁性層と隣接して設けられた保磁力増大層により磁化反転がピン止めされて保磁力が大きくされ、他の強磁性層の磁化が自由にされてなり、低磁界において磁気抵抗変化を生じる巨大磁気抵抗効果材料膜。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01L 43/08
, H01L 43/10
G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/10
