特許
J-GLOBAL ID：200903007198714461
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-166086
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004681
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】ストライプ型のSJ構造のドリフト層であっても、両方向の電位分布の差を生じさせず安定した耐圧を確保できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域100及びその素子領域100を囲う終端領域200を有する。半導体装置は、n型ドリフト層4内にその平面と平行なY軸方向を長手方向としてストライプ状に且つY軸方向と直交するX軸方向において周期的に形成されたp型ピラー1と、終端領域200において素子領域100を取り囲むように同心環状に形成された複数のフィールドプレート電極2とを備える。p型ピラー層1におけるY軸方向の端部は、素子領域100と終端領域200の境界を超えて形成されている。フィールドプレート電極200は、p型ピラー層1のY軸方向の両端近傍を通るように形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置において、
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上面側に形成され、前記第1半導体層の上面と平行な第1方向を長手方向としてストライプ状に且つ前記第1方向と直交する前記第1半導体層の上面と平行な第2方向に交互に周期的に形成された、第1導電型の第1ピラー領域および第2導電型の第2ピラー領域と、
前記素子領域において前記第2ピラー領域の表面に選択的に形成された第2導電型の半導体ベース層と、
前記半導体ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型の半導体領域と、
前記第1半導体層に接合するように形成された第1主電極と、
前記半導体ベース層と前記半導体領域に接合するように形成された第2主電極と、
前記半導体ベース層、前記半導体領域、及び前記第1ピラー領域に接するように絶縁膜を介して形成された制御電極と、
前記終端領域において前記素子領域を取り囲むように同心環状に形成された複数のフィールドプレート電極と
を備え、
前記第2ピラー領域における前記第1方向の端部は、前記素子領域と前記終端領域の境界を超えて形成され、
前記複数のフィールドプレート電極は、前記第2ピラー領域の前記第1方向の両端近傍を通るように形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 29/41
H01L29/78 652H
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652F
, H01L29/44 Y
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104CC00
, 4M104FF10
, 4M104FF11
, 4M104FF35
, 4M104GG09
, 4M104GG18
