半導体基板の温度制御のための方法及びその装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270823
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118835
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】ウェーハを迅速に所定の温度に持って来て、その温度を維持し、ウェーハ支持台のウェーハ支持表面全体に渡り均一な温度を供給する。【解決手段】半導体ウェーハ処理装置、より詳細には半導体基板支持台は基板支持、アイソレータ、及び第1及び第2熱伝達板を有し、半導体ウェーハの直径を横切って制御可能で一定の温度分布を供給する。前記基板支持内に埋め込まれた1以上の電極で前記ウェーハを加熱すると共に前記第1及び第2熱伝達板を通過する流体で前記ウェーハを冷却することにより、台に置かれた半導体ウェーハは所定温度で均一に維持される。

請求項（抜粋）：

製品素材の支持及び温度制御のための装置であって、基板支持と、該基板支持の下方に配置されたアイソレータと、該アイソレータの下方に配置された外部熱伝達板と、を備えていることを特徴とする装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (7件)

静電チャック付セラミックスヒーター
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-152015 出願人：信越化学工業株式会社
サセプター
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-149573 出願人：日本碍子株式会社
枚葉式の熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210973 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (8件)

枚葉式の熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210973 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平1-225121
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-185518 出願人：東京エレクトロン株式会社

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