特許
J-GLOBAL ID:200903007213930362

半導体製造装置換気方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 祥二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-108840
公開番号(公開出願番号):特開平6-302669
出願日: 1993年04月12日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】内部に浄化気体を流通換気する半導体製造装置に於いて、装置の一部に開閉があっても、装置内への外気の流入を防止する。【構成】排気風量を可変とすることで装置内部の浄化気体の流れを制御し、装置内部が閉状態にある場合は所定の排気風量で装置内部に浄化気体の流れを促進し、装置の一部が開口した時には排気風量を減少させ、装置内部の静圧を高めて外気の流入を防止する。
請求項(抜粋):
内部に浄化気体を流通換気する半導体製造装置に於いて、排気風量を可変とすることで装置内部の浄化気体の流れを制御することを特徴とする半導体製造装置換気方法。
IPC (2件):
H01L 21/68 ,  F24F 7/06
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • クリーンエア装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-196076   出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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