酸化シリコン膜の形成方法及びその形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211005
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025998
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】気相化学反応を用いるリモートプラズマCVD成膜において、励起酸素分子や励起酸素原子といった特定種の量を意図的に制御して、高品質の酸化シリコン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】酸素原子を含むガス150のプラズマを形成するプラズマ生成領域170と、プラズマ生成領域外で被堆積基板30を設置する基板保持機構20を有し、かつプラズマ生成領域170と被堆積基板30の間でシリコン原子を含むガス140を供給する手段を有するプラズマCVD装置を用いて酸化シリコン膜を形成するプラズマCVD成膜方法において、プラズマ生成領域107と被堆積基板30との間の領域の発光分光スペクトルを測定したときに、761nm付近の発光ピークの面積A(O2)と777nm付近の発光ピークの面積A(O)との関係が、10*A(O2)>A(O)の関係にある。

請求項（抜粋）：

酸素原子を含むガスのプラズマを形成するプラズマ生成領域と、プラズマ生成領域と分離され、かつ基板との間に形成された、シリコン原子を含むガスが供給される成膜領域とを有し、プラズマCVD法による気相化学反応を用いて酸化シリコン膜を基板上に堆積する酸化シリコン膜の形成方法において、上記成膜領域には、励起した酸素分子と励起した酸素原子とが存在し、この励起した酸素分子の量と励起した酸素原子の量を意図的に制御するようにしたことを特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C01B 33/12 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C01B 33/12 Z , C23C 16/40 , H01L 21/316 X

Fターム (49件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072HH03 , 4G072HH04 , 4G072HH30 , 4G072JJ03 , 4G072JJ34 , 4G072NN13 , 4G072RR11 , 4G072UU01 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030HA16 , 4K030JA06 , 4K030KA39 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA10 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045EC03 , 5F045EF01 , 5F045EF05 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045GB06 , 5F045GB08 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF09 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG10 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (1件)

ラインプラズマ気相堆積装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330890 出願人：シャープ株式会社, リサーチトライアングルインスティチュート

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