特許
J-GLOBAL ID：200903007257389782

ドープされた有機半導体材料およびその製造方法

発明者：
フェンホン,リ

フェンホン,リ について

, 
マルティン,プファイファー

マルティン,プファイファー について


出願人/特許権者：
ノヴァレッド・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

ノヴァレッド・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225183
公開番号（公開出願番号）：特開2005-063960
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 本発明は、ドーパントをドーピングすることにより、高い電荷担体密度と効果的な電荷担体移動性とを有するドープされた有機半導体材料を製造する方法に関するものである。さらに、本発明は、上記方法によって得られるドープされた半導体材料に関するものである。【解決手段】 ドーパント(1)を有機半導体材料に混合した後、水素、酸化炭素、窒素またはヒドロキシラジカルを脱離させ、少なくとも1つの電子を、半導体材料へ移し、または、半導体材料から移す。この方法は、ドーパント(1)として電荷を持たない有機化合物を使用することを特徴とする。本発明の半導体材料は、ドープされた層が、少なくとも1つの有機化合物の陽イオン(2)を含むことを特徴とする。ここで、電荷を持たない形の有機化合物(1)は、空気中で不安定である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高い電化担体密度と効果的な電荷担体移動性とを有するドープされた有機半導体材料を、ドーパントをドーピングすることによって製造する方法であって、ドーパントを有機半導体材料に混合した後、水素、酸化炭素、窒素またはヒドロキシラジカルを脱離し、少なくとも1つの電子を、半導体材料へ移し、または、半導体材料から移すとともに、 ドーパントとして、電荷を持たない有機化合物を使用することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H05B33/22 ,  H05B33/14
FI (4件)：
H05B33/22 D ,  H05B33/22 B ,  H05B33/14 B ,  H01L31/04 D
Fターム (4件)：
3K007AB03 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F051AA11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5093698号(US5,093,698)
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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