特許
J-GLOBAL ID：200903007258122364
相補型カーボン・ナノチューブ・トリプル・ゲート技術
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
上野 剛史
, 太佐 種一
, 市位 嘉宏
, 坂口 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-304611
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134721
出願日： 2006年11月09日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】CNTFETの固有の両極性の性質を克服するCNT技術を提供して、安定なp型CNTFETおよびn型CNTFETを提供する。【解決手段】CNTFETの両極性の性質を克服するために、ソース/ドレイン・ゲート125が、ソース/ドレイン電極105と反対の側のCNT110の下に導入される。ソース/ドレイン・ゲート125は、正電圧または負電圧のいずれかをCNT端部111に印加するために使用され、それにより、対応するFETをそれぞれn型またはp型CNTFETのいずれかに設定する。また、一方がn型CNTFETに、他方がp型CNTFETに設定された隣接する2つのCNTFETにより、相補型CNTFETをデバイス内に組み込むことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の側、第2の側、および両端部を有し、前記両端部の間にチャネル領域を含む、少なくとも1つのカーボン・ナノチューブと、
前記第1の側で前記両端部に接触するソース/ドレイン電極と、
前記第1の側で前記ソース/ドレイン電極間の前記チャネル領域上にある第1のゲートと、
前記第2の側で前記ソース/ドレイン電極と反対の側にある第2のゲートとを含むカーボン・ナノチューブ・トランジスタであって、
前記第2のゲートに印加される予め選択された電圧が、該カーボン・ナノチューブ・トランジスタをp型トランジスタおよびn型トランジスタのうちの一方に設定する、カーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/78 613A
, H01L29/78 617N
5F110AA02
, 5F110AA03
, 5F110AA08
, 5F110BB04
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE30
, 5F110FF02
, 5F110GG01
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F110QQ11
