半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山口邦夫 , 佐々木榮二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-028613
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241572
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】炭素管状体及びその両端の電極からなる単位構造を高密度に配列して実装する。【解決手段】基板6上に複数の島状に配列した触媒層4の夫々の全表面を覆う保護膜7をカーボンナノチューブ1の成長抑制物質で成膜する。保護膜7で覆われた触媒層4を荷電粒子線の照射により微細化すると共に、この保護膜7の一部に触媒層4の露出面を形成する。触媒層4の露出面を形成する位置及び方向を変更することにより、この露出面を成長起点として合成されるカーボンナノチューブ1の位置及び成長方向を制御する。合成されたカーボンナノチューブ1の端部から他物質を内包させることにより、このデバイス特性を制御する。カーボンナノチューブ1の成長起点側及び終点側の端部に第1及び第2の電極2,3を形成した後、層間絶縁膜9を成膜し、n型FET20n及びp型FET20pからなる論理回路を実装した半導体装置100を完成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられた島状の触媒層と、前記触媒層の一端部を除く他の部分を覆った保護膜と、前記保護膜に覆われた触媒層の端部から一の方向に向けて設けられた炭素管状体と、前記炭素管状体の両端に設けられた電極とを備え、前記触媒層の端部は、荷電粒子線の照射幅により規定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L29/06 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/302 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786

FI (8件)：

H01L29/06 601N , H01L29/06 601L , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/302 201B , H01L27/08 331E , H01L27/08 321A , H01L29/78 618B

Fターム (41件)：

5F004BA17 , 5F004BA20 , 5F004BB01 , 5F004DB00 , 5F004EA39 , 5F004EB08 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BG07 , 5F110AA01 , 5F110BB04 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD22 , 5F110EE08 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG44 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (8件)

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-218578 出願人：エルジー電子株式会社
ハイブリッド単層カーボンナノチューブ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-286108 出願人：科学技術振興事業団, 名古屋大学長, 日本電気株式会社
ハイブリッドカーボンナノチューブの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-052847 出願人：科学技術振興事業団, 日本電気株式会社

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