光半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：岡田敬 , 須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160893
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363380
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】耐湿性等を向上させた光半導体装置10およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光半導体装置10Aは、受光素子または発光素子を含む回路部21が表面に形成された光半導体素子11と、光半導体素子11の裏面に設けられ且つ回路部21と電気的に接続された端子部17と、光半導体素子11の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層12と、被覆層12および光半導体素子11の側面を被覆する封止樹脂16とを有する構成と成っている。また、回路部21と端子部17とは再配線15により接続されても良い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

受光素子または発光素子を含む回路部が表面に形成された光半導体素子と、前記光半導体素子の裏面に設けられ且つ前記回路部と電気的に接続された端子部と、前記光半導体素子の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層と、前記光半導体素子の側面を被覆する封止樹脂とを有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L31/02 , H01L27/14 , H01L33/00 , H04N5/335

FI (4件)：

H01L31/02 B , H01L33/00 N , H04N5/335 F , H01L27/14 D

Fターム (41件)：

4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118HA12 , 4M118HA16 , 4M118HA17 , 4M118HA24 , 4M118HA29 , 4M118HA31 , 4M118HA33 , 5C024CY47 , 5C024CY48 , 5C024EX24 , 5C024GY01 , 5F041AA34 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F041CA84 , 5F041CA87 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041DA01 , 5F041DA03 , 5F041DA12 , 5F041DA42 , 5F041DA43 , 5F041DA44 , 5F041DA81 , 5F088AA01 , 5F088AA07 , 5F088AB02 , 5F088BA11 , 5F088BB03 , 5F088CB15 , 5F088CB17 , 5F088CB18 , 5F088EA04 , 5F088FA05 , 5F088FA11 , 5F088FA20 , 5F088JA06 , 5F088JA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-191428 出願人：オリンパス光学工業株式会社
特開昭62-264659
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-134543 出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社

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