特許
J-GLOBAL ID：200903007269617306
酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた光起電力素子の製造方法、及び光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332404
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219512
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：
【要約】【課題】 低コスト化に有利な電解析出法により、光閉じ込め効果のあるテクスチャー構造の薄膜を短時間で形成でき、堆積膜の異常成長を防止でき、成膜面の均一性及び密着性に優れていて、光起電力素子の積層構造へ適用することで、光電特性を向上できて量産性を高め得る酸化亜鉛薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 導電性基体203を負電極とし、当該導電性基体203と対向電極204とを、硝酸イオン及び0.05mol/l以上の亜鉛イオンを含有する水溶液202に浸漬して電流を通電することにより、前記導電性基体203上に、水溶液から酸化亜鉛を電気化学的に析出させて薄膜を形成する酸化亜鉛薄膜の製造方法において、薄膜を形成する電解析出反応の途中で少なくとも1回成膜速度を変化させる。
請求項（抜粋）：
導電性基体を負電極とし、当該導電性基体と対向電極とを、硝酸イオン及び0.05mol/l以上の亜鉛イオンを含有する水溶液に浸漬して電流を通電することにより、前記導電性基体上に、水溶液から酸化亜鉛を電気化学的に析出させて薄膜を形成する酸化亜鉛薄膜の製造方法において、薄膜を形成する電解析出反応の途中で少なくとも1回成膜速度を変化させることを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C01G 9/02
, C25D 9/08
, H01L 31/04
C01G 9/02 A
, C25D 9/08
, H01L 31/04 M
