特許
J-GLOBAL ID：200903099563500931

酸化亜鉛膜の製造方法と光起電力素子の製造方法と半導体素子基板の製造方法

発明者：
西尾 豊

西尾 豊 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000876
公開番号（公開出願番号）：特開平11-264093
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 優れた光閉込め効果を有する酸化亜鉛膜を短時間で安定して形成し、これを光起電力素子に用いることにより、効率の高い太陽電池を、低コストで生産することを目的とする。【解決手段】 電析浴104に浸漬された導電性基体103と該電析浴104中に浸漬された対向電極105との間を通電することにより、酸化亜鉛膜を前記導電性基体103上に形成する酸化亜鉛膜の製造方法において、電析浴の温度を50°C以上とし、かつ電析初期より電析終期の方が電析浴温度が低くなる温度プロファイルを持たせる酸化亜鉛膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
電析浴に浸漬された導電性基体と該電析浴中に浸漬された対向電極との間に通電することにより、酸化亜鉛膜を前記導電性基体上に形成する酸化亜鉛膜の製造方法において、電析浴の温度を50°C以上とし、かつ電析初期より電析終期の方が電析浴の温度が低くなる温度プロファイルを持たせることを特徴とする酸化亜鉛膜の製造方法。
IPC (3件)：
C25D 9/04 ,  H01L 21/288 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
C25D 9/04 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H
引用特許：
審査官引用 (7件)
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