特許
J-GLOBAL ID：200903007287571763
低反射性透明導電膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238787
公開番号（公開出願番号）：特開平9-078008
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：
【要約】【目的】 ブラウン管表面に、可視光最低反射率が1.0 %以下、ヘーズが0.5 %以下、好ましくは0.3 %以下、表面抵抗値が105 Ω/□台以下、好ましくは 103〜104 Ω/□台、全可視光線透過率が75%以上、好ましくは80%以上の、低反射性と電磁波シールド性を備え、紫〜青味または赤〜黄色味の反射光のない無色の透明導電膜を形成する。【構成】 アルコキシシランから形成されたシリカマトリックス中に、錫ドープ酸化インジウム微粉末45〜95重量%とチタンブラック微粉末3〜30重量%とを含有する膜厚60〜1000 nm の透明導電膜。塗料中にアルコキシチタンまたはチタンカップリング剤を少量含有させてもよい。【効果】 外部映像の映り込みによる視認性低下とブラウン管からの電磁波漏洩とを防止できる。
請求項（抜粋）：
アルコキシシランから形成されたシリカマトリックス中に、錫ドープ酸化インジウム微粉末および黒色導電性微粉末を含有する、透明基体の表面に設けた、低反射性、電磁波シールド性の無色透明導電膜。
IPC (8件)：
C09D 5/24 PQW
, C03C 17/02
, C09D 5/00 PPQ
, C09D 5/00 PSG
, C09D183/04 PMT
, H01B 1/20
, H01B 5/14
, H01J 29/88
C09D 5/24 PQW
, C03C 17/02 B
, C09D 5/00 PPQ
, C09D 5/00 PSG
, C09D183/04 PMT
, H01B 1/20
, H01B 5/14 A
, H01J 29/88
