特許

J-GLOBAL ID：200903007323289107

スパッタリング装置

発明者： 善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158301
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】 カバレージの良いスパッタ膜を形成し、かつコリメータからのパーティクルの発生を少なくする。【構成】 ターゲット3とシリコン基板5との間に、抵抗加熱法により所望の温度に加熱されたコリメータ4を配置する。コリメータ4の輻射熱のため、シリコン基板5上のスパッタ粒子がマイグレートしやすくなり、カバレージの良好な膜を形成できる。またコリメータ4が加熱されているため、スパッタリング粒子が付着するのを防止でき、パーティクルの発生が抑えられる。

請求項（抜粋）：

コリメータを有し、ターゲットからのスパッタ粒子をシリコン基板上に付着させて成膜を行うスパッタリング装置であって、コリメータは、ターゲットからシリコン基板に向けて飛来するスパッタ粒子の飛行方向を単一に規制する空孔を有し、かつ所定の温度に加熱され、その輻射熱でシリコン基板の表面を加熱するものであることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭60-001397
  
• 特開平3-215663
  
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-169678   出願人：ソニー株式会社