特許
J-GLOBAL ID：200903007327492063

エピタキシャル層の変動の影響を受けにくい縦形MOSFET

発明者：
ウィリアムズ、リチャード・ケイ

ウィリアムズ、リチャード・ケイ について


出願人/特許権者：
シリコニックス・インコーポレイテッド

シリコニックス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-532685
公開番号（公開出願番号）：特表2000-506677
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】縦形パワーMOSFET(700)は、N+基板(714)と上層をなすN-エピタキシャル層(704)とを含む。N-型埋込層(720)はエピタキシャル層内に形成され、基板の上層をなしており、埋込層はエピタキシャル層のドーパント濃度より大きいが、基板のドーパント濃度より小さいドーパント濃度を有する。埋込層の上側端部とMOSFETのドレイン本体接合部との距離により、MOSFETのブレークダウン電圧及びオン抵抗が、エピタキシャル層の厚さを考慮しなくても、概ね確定されることができる。
請求項（抜粋）：
縦形トレンチゲート形パワーMOSFETであって、 第1の導電型の半導体基板と、 前記基板上に形成されるエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層の表面から下方に延在するトレンチ内に形成されたゲートと、 前記エピタキシャル層の表面に隣接して前記エピタキシャル層内に形成される前記第1の導電型のソース領域と、 前記ソース領域と前記トレンチの壁部とに隣接して前記エピタキシャル層内に形成される前記第1の導電型と反対の導電型のボディ領域と、 前記基板及び前記ボディ領域に隣接して位置する前記エピタキシャル層の一部からなるドレインであって、前記エピタキシャル層の前記一部が前記第1の導電型のイオンを用いて第1の濃度レベルにドープされる、該ドレインと、 前記エピタキシャル層内に形成され、前記基板内に延在する埋込層であって、前記エピタキシャル層内の前記埋込層の一部が前記第1の導電型のイオンを用いて、前記第1の濃度レベルより大きい第2の濃度レベルにドープされる、該埋込層とを有することを特徴とする縦形トレンチゲート形パワーMOSFET。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 A
引用特許：
審査官引用 (24件)
  • 特開平1-192175
  • 絶縁ゲート制御半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-209793   出願人：富士電機株式会社
  • 特開平4-258174
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