特許
J-GLOBAL ID:200903007337654002

高周波回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-057511
公開番号(公開出願番号):特開2003-258567
出願日: 2002年03月04日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 不要ピークの発生を抑制でき、且つ、チップ面積の縮小化に貢献し得る、高周波回路を提供することにある。【解決手段】 増幅素子11、チョークインダクタ12及びバイパスコンデンサ13で構成された増幅ブロック10と、増幅素子21、チョークインダクタ22及びバイパスコンデンサ23で構成された増幅ブロック20とで高周波回路を構成する。増幅素子21への電力供給は共通の電源端子31からチョークインダクタ12を介して行ない、増幅素子11への電力供給は共通の電源端子31からチョークインダクタ12及び抵抗素子37を介して行なう。増幅素子11及び21、チョークインダクタ12及び22、バイパスコンデンサ13及び23、抵抗素子37を同一の基板上に形成する。
請求項(抜粋):
複数段の増幅ブロックを有し、各増幅ブロックは増幅素子と、チョークインダクタと、バイパスコンデンサとを少なくとも有し、前記増幅素子の電源端子と前記チョークインダクタの一端とが接続され、前記チョークインダクタの他端と前記バイパスコンデンサの一端とが接続され、前記バイパスコンデンサの他端が接地され、前記各増幅ブロックの前記増幅素子への電力供給が共通の電源端子から前記各増幅ブロックの前記チョークインダクタを介して行なわれる高周波回路であって、最終段以外の増幅ブロックの前記増幅素子への電力供給が、前記共通の電源端子と前記最終段以外の増幅ブロックのチョークインダクタとの間に設けられた抵抗素子を介して行なわれ、少なくとも前記増幅素子、前記チョークインダクタ、前記バイパスコンデンサ及び前記抵抗素子が同一の基板上に形成されていることを特徴とする高周波回路。
IPC (2件):
H03F 3/195 ,  H03F 3/68
FI (2件):
H03F 3/195 ,  H03F 3/68 Z
Fターム (51件):
5J069AA01 ,  5J069CA21 ,  5J069CA61 ,  5J069CA92 ,  5J069FA16 ,  5J069FA20 ,  5J069HA02 ,  5J069HA09 ,  5J069HA25 ,  5J069HA29 ,  5J069HA33 ,  5J069KA29 ,  5J069MA08 ,  5J069MA21 ,  5J069TA01 ,  5J069TA02 ,  5J069TA03 ,  5J092AA01 ,  5J092CA21 ,  5J092CA61 ,  5J092CA92 ,  5J092FA16 ,  5J092FA20 ,  5J092HA02 ,  5J092HA09 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092KA29 ,  5J092MA08 ,  5J092MA21 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02 ,  5J092TA03 ,  5J500AA01 ,  5J500AC21 ,  5J500AC61 ,  5J500AC92 ,  5J500AF16 ,  5J500AF20 ,  5J500AH02 ,  5J500AH09 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK29 ,  5J500AM08 ,  5J500AM21 ,  5J500AT01 ,  5J500AT02 ,  5J500AT03
引用特許:
審査官引用 (2件)

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