特許
J-GLOBAL ID：200903007343708211
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268331
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】動作電圧や動作電流の低減化が図れる II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光装置を提供すること。【構成】p型InP基板1と、このp型InP基板1上に形成され、Cd1-u-vZnu Mgv Se(0≦u, v≦1)からなるp型クラッド層2と、このp型クラッド層2上に形成され、Cd1-w-x Znw Mgx Se(0≦w, x≦1)からなる活性層3と、この活性層3上に形成され、Cd1-y-z Zny Mgz Se(0≦y, z≦1)からなるn型クラッド層4とを備えている。
請求項（抜粋）：
InPからなる半導体基板と、この半導体基板上に形成され、Cd1-x-y Znx Mgy Se(0≦x≦1, 0≦y≦1)からなり、電流注入により発光する発光半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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