特許
J-GLOBAL ID：200903007347915130
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338398
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181184
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造を有する半導体集積回路装置を構成する配線の容量を低減する。【解決手段】 半導体チップ1の回路ブロック2a〜2eを構成するブロック内配線および回路ブロック2a〜2eを電気的に接続するブロック間配線において、配線長が相対的に長くなる配線を上位の配線層に配置し、配線長が相対的に短くなる配線を下位の配線層に配置した。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に4層以上の配線層を有する半導体集積回路装置の配線配置工程において、配線長が相対的に長くなる配線を、前記配線層における上位の配線層に優先的に配置し、配線長が相対的に短くなる配線を、前記配線層における下位の配線層に配置する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
H01L 21/82 W
, H01L 21/88 A
