特許

J-GLOBAL ID：200903007378349770

半導体装置及びその製造方法

発明者： 斉藤 泰伸 ,  大村 一郎 ,  藤本 英俊 ,  菅原 秀人 ,  鎌倉 孝信 ,  喜多 徹 ,  垣内 頼人 ,  鈴木 拓馬
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-322856
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129166
出願日： 2005年11月07日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】Si基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、前記支持基板の上に設けられ前記第1の半導体よりもバンドギャップが大なる第2の半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、 前記支持基板の上に設けられ前記第1の半導体よりもバンドギャップが大なる第2の半導体からなる半導体層と、 前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、 前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (1件)：

H01L29/48 F

Fターム (19件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104EE05 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ショットキーバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-172604   出願人：東芝セラミックス株式会社