特許
J-GLOBAL ID：200903077147831348

ショットキーバリアダイオード

発明者：
阿部 芳久

阿部 芳久 について

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鈴木 俊一

鈴木 俊一 について

, 
中西 秀夫

中西 秀夫 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172604
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022639
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】基板の荒れがなく、良質な結晶のショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】Si基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。ワイドバンドギャップ半導体は、n型3C-SiC又はGaNである。Si基板は、低抵抗(100)単結晶シリコンで構成されている。基板がSi基板である。Niを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (3件)：
H01L29/47 ,  H01L21/20 ,  H01L29/872
FI (3件)：
H01L29/48 D ,  H01L21/20 ,  H01L29/48 M
Fターム (8件)：
4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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