特許

J-GLOBAL ID：200903007402002670

銅配線半導体用洗浄剤

発明者： 中西 睦
出願人/特許権者： 三洋化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-086671
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239206
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、パーティクル成分のうち、研磨剤の無機微粒子や金属イオン成分の除去には効果があるものの、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料(銅、タングステン等)が腐食するという問題がある。【解決手段】有機アミン(A)、少なくとも1個のカルボキシル基を含有し下記式で表される式量電位(V)が-0.170〜0.430である多価水酸基含有化合物(B)及び水(W)を含有してなり、25°CでのpHが2〜14であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。 式量電位(V)=1.741×(LUMO-HOMO)-0.462[式中、LUMO、HOMOは、プログラムシステムGAUSSIANで成分の第一原理計算を行い算出した最高被占軌道(HOMO)と最低空軌道(LUMO)のエネルギーレベルである。]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機アミン(A)、少なくとも1個のカルボキシル基を含有し下記式で表される式量電位(V)が-0.170〜0.430である多価水酸基含有化合物(B)及び水(W)を含有してなり、25°CでのpHが2〜14であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/26

FI (4件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647Z ,  C11D7/32 ,  C11D7/26

Fターム (26件)：

4H003DA15 ,  4H003EB04 ,  4H003EB08 ,  4H003EB09 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB20 ,  4H003EB33 ,  4H003EB41 ,  4H003ED02 ,  4H003FA28 ,  5F157AA42 ,  5F157AA62 ,  5F157AA73 ,  5F157AA95 ,  5F157AC01 ,  5F157BC03 ,  5F157BC04 ,  5F157BC07 ,  5F157BC09 ,  5F157BE12 ,  5F157BF38 ,  5F157CE86 ,  5F157DB03 ,  5F157DB51 ,  5F157DB57

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化学的機械的平坦化(CMP)後の清浄化組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-502824   出願人：イーエスシー,インコーポレイテッド