化学的機械的平坦化(CMP)後の清浄化組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-502824
公開番号（公開出願番号）：特表2003-536258
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2003年12月02日
要約：

【要約】本明細書は、超小型電子回路基板を清浄化するための、特にCMP後(ポスト-CMP)またはバイア形成清浄化のための、清浄化液を開示する。この清浄化液は、水酸化第四級アンモニウム、有機アミン、腐食防止剤、および水を含む。好ましい清浄化液は、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、アスコルビン酸、および水を含み、ここで、この清浄化液は、溶液1グラムあたり、0.073ミリ当量塩基より大きいアルカリ度である。

請求項（抜粋）：

超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であって、該清浄化液は、バランス用の水以外に以下: 水酸化テトラアルキルアンモニウムからなる群より選択された0.05〜12.4重量%の水酸化第四級アンモニウムであって、ここで該アルキルは、C1〜C10の原子のうちの1つまたはC1〜C10原子の組み合わせを含む、水酸化第四級アンモニウム; モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N-メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、C2-C5アルカノールアミン、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、0.2重量%〜27.8重量%の極性有機アミン;ならびにアスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、およびそれらの組み合わせ、からなる群より選択される、有効量の腐食防止剤;を含み、ここで、該溶液のアルカリ度が溶液1グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい、清浄化液。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 647 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/60

FI (5件)：

H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 647 Z , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/60

Fターム (10件)：

4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003EB07 , 4H003EB08 , 4H003EB14 , 4H003EB16 , 4H003EB19 , 4H003EB20 , 4H003ED02 , 4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

剥離剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255695 出願人：花王株式会社

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