特許

J-GLOBAL ID：200903007456780032

(La,Ba)MnO3系室温超巨大磁気抵抗材料

発明者： 川合 知二 ,  田中 秀和 ,  神吉 輝夫
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177183
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352113
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 ペロブスカイト型酸化物を薄膜化することで磁性を制御し、室温での巨大磁気抵抗効果を有する材料の創成を目的とする。【構成】基板上にエピタキシー成長により成膜した一般式(La<SB>1-x </SB>Ba<SB>x </SB>)MnO<SB>3 </SB>(ただし、0.02≦x≦0.25)で表されるペロブスカイト型構造をもつマンガン酸化物薄膜からなり、該薄膜は引っ張り歪みを受ける膜厚に調整されており、成膜したまま熱処理せずに、磁気抵抗比のピークが0°C以上にあり、そのピーク値が0.8Tの印加磁場において40%以上であることを特徴とする室温超巨大磁気抵抗材料。基板は、SrTiO<SB>3 </SB>単結晶、Sr<SB>1-y</SB>Ba<SB>y</SB>TiO<SB>3</SB>(ただし、0<y≦1.0)<SB> </SB>単結晶などの(La<SB>1-x </SB>Ba<SB>x </SB>)MnO<SB>3 </SB>(ただし、0.02≦x≦0.25)で表されるペロブスカイト型構造をもつマンガン酸化物のバルク材料の平衡状態の格子定数より大きい格子定数を有する材料からなる。基板がSrTiO<SB>3 </SB>の場合は、薄膜の膜厚は1100Å以下、Sr<SB>1-y</SB>Ba<SB>y</SB>TiO<SB>3</SB>の場合は1500Å以下とする。

請求項（抜粋）：

基板上にエピタキシー成長により成膜した一般式(La1-xBax )MnO3 (ただし、0.02≦x≦0.25)で表されるペロブスカイト型構造をもつマンガン酸化物薄膜からなり、該薄膜は引っ張り歪みを受ける膜厚に調整されており、磁気抵抗比のピークが0°C以上にあり、そのピーク値が0.8Tの印加磁場において40%以上であることを特徴とする室温超巨大磁気抵抗材料。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/28

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/28

Fターム (8件)：

5D034BA02 ,  5D034BA16 ,  5D034DA07 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB04