特許
J-GLOBAL ID：200903007474805786
直流マグネトロン型反応性スパッタ法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032190
公開番号（公開出願番号）：特開平7-243039
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 長時間にわたって安定したスパッタリングを行なうこと。【構成】 直流マグネトロン型反応性スパッタ法において、ターゲット4の裏面側に配設した磁石3の磁場を移動させて、エロージョン領域をターゲットの全表面に形成させて、ターゲット表面に反応生成層の形成を抑制して異常放電の発生を防止するとともに、さらに、マグネトロンカソード2にピーク電圧が正電圧となるパルスを含む負の直流電圧を印加してターゲット表面での異常放電の発生を二重に防止する直流マグネトロン型反応性スパッタ法。
請求項（抜粋）：
直流マグネトロン型反応性スパッタ法において、ターゲット裏面側に配設した磁石の磁場を移動させて、エロージョン領域をターゲットの全表面に形成させるとともに、マグネトロンカソードにピーク電圧が正電圧となるパルスを含む負の直流電圧を印加することを特徴とする直流マグネトロン型反応性スパッタ法。
引用特許：
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