特許

J-GLOBAL ID：200903007502585274

基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法

発明者： 鈴木 博則 ,  鈴木 克己 ,  中島 俊貴 ,  村松 真文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203808
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017455
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 レジスト材料に代表される有機物を、好適に、残渣なく、より速やかに処理することが可能な基材処理方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ12に紫外線を照射する照射部14と、前記半導体ウェハ12の表面に付着するレジスト膜40の除去をなす水槽16を備える。このように基材処理装置を構成し、紫外線を照射した半導体ウェハ12を水槽16に浸漬させれば、温水によって半導体ウェハ12の表面に形成されたレジスト膜40を、前記半導体ウェハ12の表面から除去することができる。

請求項（抜粋）：

処理すべき基材に紫外線を照射した後、前記基材を水中に投入し基材表面に付着する有機物を除去することを特徴とする基材処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 642 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/308

FI (5件)：

H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/304 642 A ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (9件)：

2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096LA01 ,  2H096LA02 ,  5F043CC16 ,  5F043DD30 ,  5F043EE06 ,  5F046MA03 ,  5F046MA04

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-216429
  
• 特開昭63-256959
  
• ドライ洗浄方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347129   出願人：セイコーエプソン株式会社, 森勇藏
• 特開平4-354128
  
• 特開平4-354127