特許
J-GLOBAL ID：200903007509324972
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031493
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 良好なドレイン電流-ゲート電圧特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板10上に形成され、端部の断面のテーパ角が10°〜45°であるチャネル層14と、下地基板10上及びチャネル層14上に形成され、チャネル層14に交差するゲート電極18と、ゲート電極18の両側のチャネル層14に形成されたソース/ドレイン領域22とを有している。
請求項（抜粋）：
下地基板上に形成され、端部の断面のテーパ角が10°〜45°であるチャネル層と、前記下地基板上及び前記チャネル層上に形成され、前記チャネル層に交差するゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記チャネル層に形成されたソース/ドレイン領域とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 627 C
