薄膜半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343949
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176753
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線と薄膜半導体領域(活性層)との間の信頼性を向上させ、特性の改善を図る。【構成】島状薄膜半導体領域の端部をテーパー状に加工し、かつ、該端部領域にソース、ドレインとは逆の導電型を示す不純物、もしくは酸素、炭素、窒素を混入させることにより、あるいは、高速イオンを照射することにより、該端部領域を高抵抗化せしめてソース、ドレイン間あるいはゲイト、ドレイン間等のリーク電流を減少させる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成されたテーパー状のエッヂを有する島状の非単結晶薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域のテーパー状エッヂに、該半導体領域の主成分とは異なる元素が含まれていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-150469
特開昭63-012160
特開昭60-113971

全件表示

前のページに戻る