特許
J-GLOBAL ID：200903007518431269
半導体試験システムおよび試験温度安定制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051012
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、安定した温度環境でICデバイスを選別してICデバイスの選別歩留まりの向上を図る半導体試験システムおよび試験温度安定制御方法を提供することを課題とする。【解決手段】 ICデバイス12を納置した状態で、ソケット14のコンタクトピン34とICデバイス12のコンタクトピン34との電気的接続を行うためのコンタクトブロック16の中に空洞部36を設け、高温制御用液体19を噴射するための高温制御用ノズル18と低温制御用液体21を噴射するための低温制御用ノズル20を空洞部36中に設け、コンタクトブロック16に向けて高温制御用液体19または低温制御用液体21をICデバイス12の基体温度に応じて選択的に噴射してコンタクトブロック16の温度を制御する試験温度安定制御機構を備える。
請求項（抜粋）：
安定した温度環境でICデバイスを選別してICデバイスの選別歩留まりの向上を図る半導体試験システムであって、ICデバイスを納置した状態で、ソケットのコンタクトピンと前記ICデバイスの前記コンタクトピンとの電気的接続を行うためのコンタクトブロックの中に空洞部を設け、高温制御用の液体である高温制御用液体を噴射するための高温制御用ノズルと低温制御用の液体である低温制御用液体を噴射するための低温制御用ノズルを前記空洞部中に設け、前記コンタクトブロックに向けて前記高温制御用液体または前記低温制御用液体を前記ICデバイスの基体温度に応じて選択的に前記ICデバイスに噴射し前記コンタクトブロックの温度を制御して前記ICデバイスを一定温度に保つ試験温度安定制御機構を備えることを特徴とする半導体試験システム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 31/26 H
, H01L 21/66 H
2G003AA07
, 2G003AC01
, 2G003AC03
, 2G003AD01
, 2G003AD02
, 2G003AG01
, 2G003AG11
, 2G003AH05
, 2G003AH08
, 4M106AA04
, 4M106BA14
, 4M106CA01
, 4M106CA31
, 4M106DH02
, 4M106DH14
, 4M106DH44
, 4M106DH45
, 4M106DH46
, 4M106DJ34
