利得結合型分布帰還半導体レ-ザ装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330635
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥の少ない活性層を持つ、良好な素子特性を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明による利得結合型分布帰還半導体レーザ装置は、共振器方向に周期的な利得変動を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、共振器方向に沿って形成された周期的な第1の凹凸形状部の上に半導体埋込層14、51、65が形成され、該半導体埋込層の内部において、該第1の凹凸形状部の凹部上に該第1の凹凸形状部と同じ周期で縦長の活性層15、52、66が設けられている。

請求項（抜粋）：

共振器方向に周期的な利得変動を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、共振器方向に沿って形成された周期的な第1の凹凸形状部の上に半導体埋込層が形成され、該半導体埋込層の内部において、該第1の凹凸形状部の凹部上に該第1の凹凸形状部と同じ周期で縦長の活性層が設けられている、利得結合型分布帰還半導体レーザ装置。

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体分布帰還型レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-199454 出願人：光計測技術開発株式会社
特許第4115593号
特開平1-143283

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審査官引用 (7件)

半導体分布帰還型レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-199454 出願人：光計測技術開発株式会社
特許第4115593号
特開平1-143283

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引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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