特許
J-GLOBAL ID：200903007546903753

荷電粒子照射装置

発明者：
中川 ▲たか▼文

中川 ▲たか▼文 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245201
公開番号（公開出願番号）：特開2000-075100
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 複数のビーム照射室を小さいスペースに配置し、偏向電磁石等の構成機器の数を削減して、経済的で利用効率の高い荷電粒子照射装置を提供する。【解決手段】 荷電粒子加速装置と荷電粒子ビーム分岐用電磁石と、多極磁界発生電磁石と、偏向電磁石と、放射状に配置された複数の治療室と、前記治療室に設置するビーム照射用の回転ガントリとを備え、前記回転ガントリから出射されたビームを照射する複数の照射位置が前記ビーム分岐用電磁石を概中心とする円周面上に配置された。
請求項（抜粋）：
荷電粒子加速装置と荷電粒子ビーム分岐用電磁石と、多極磁界発生電磁石と、偏向電磁石と、放射状に配置された複数の治療室と、前記治療室に設置するビーム照射用の回転ガントリとを備え、前記回転ガントリから出射されたビームを照射する複数の照射位置が前記ビーム分岐用電磁石を概中心とする円周面上に配置されたことを特徴とする荷電粒子照射装置。
IPC (3件)：
G21K 5/04 ,  A61N 5/10 ,  G21K 1/093
FI (3件)：
G21K 5/04 A ,  A61N 5/10 H ,  G21K 1/093 D
Fターム (8件)：
4C082AA01 ,  4C082AC02 ,  4C082AC04 ,  4C082AE03 ,  4C082AG12 ,  4C082AG13 ,  4C082AG52 ,  4C082AT04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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