特許
J-GLOBAL ID：200903007551857735

太陽電池の製造方法

発明者：
舩越 康志

舩越 康志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-322187
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147070
出願日： 2007年12月13日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】発電効率に優れた太陽電池を安価に製造することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の一方の表面となる第1の表面の少なくとも一部にp型不純物を拡散させることによって高濃度p型不純物拡散層を形成する工程と、高濃度p型不純物拡散層および高濃度p型不純物拡散層の形成時に高濃度p型不純物拡散層上に形成された膜の少なくとも一方をマスクとしてシリコン基板の第1の表面またはシリコン基板の第1の表面と反対側の第2の表面をエッチングする工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の一方の表面となる第1の表面の少なくとも一部にp型不純物を拡散させることによって高濃度p型不純物拡散層を形成する工程と、 前記高濃度p型不純物拡散層および前記高濃度p型不純物拡散層の形成時に前記高濃度p型不純物拡散層上に形成された膜の少なくとも一方をマスクとして前記シリコン基板の前記第1の表面または前記シリコン基板の前記第1の表面と反対側の第2の表面をエッチングする工程と、を含む、太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 A
Fターム (15件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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