特許

J-GLOBAL ID：200903054943635739

太陽電池素子およびその製造方法

発明者： 石川 周太郎 ,  高橋 宏明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197932
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 直列抵抗の増大が少なく、かつ電極側への少数キャリアの拡散を抑制し、オーミックコンタクト電極部のキャリア再結合を低減するコンタクト構造を有する高効率化な太陽電池素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の一主面側に微細な突起を多数設けると共に、逆導電型半導体不純物を含有させ、このシリコン基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した太陽電池素子であって、上記シリコン基板の一主面側の電極下部のシート抵抗が10〜40Ω/□となり、一主面側の電極下部以外のシート抵抗が60〜300Ω/□となるように上記逆導電型半導体不純物を含有させた。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の一主面側に微細な突起を多数設けると共に、逆導電型半導体不純物を含有させ、このシリコン基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の一主面側の電極下部のシート抵抗が10〜40Ω/□となり、この一主面側の電極下部以外のシート抵抗が60〜300Ω/□となるように前記逆導電型半導体不純物を含有させたことを特徴とする太陽電池素子。

Fターム (11件)：

5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB18 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 太陽電池の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-363379   出願人：エア・ウォーター株式会社
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008328   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-224727   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭62-123778