特許
J-GLOBAL ID:200903007586472526
有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-328437
公開番号(公開出願番号):特開2009-152355
出願日: 2007年12月20日
公開日(公表日): 2009年07月09日
要約:
【課題】高い移動度の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】予めソース・ドレイン電極を形成された基板上に有機半導体材料の溶液を供給し、溶媒を揮発させることにより有機半導体薄膜を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース・ドレイン電極の表面を有機化合物により修飾し、且つ有機半導体材料として下記一般式(1)で示される化合物を用いる。(X1及びX2はそれぞれ独立してカルコゲン原子。nは1〜3の整数。R1及びR2はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、C1-18アルキル基、ハロゲン原子を有するC1-18アルキル基、C1-18アルキルオキシ基、C1-18アルキルチオ基またはアリール基。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
予めソース・ドレイン電極を形成された基板上に有機半導体材料の溶液を供給し、溶媒を揮発させることにより有機半導体薄膜を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース・ドレイン電極の表面を有機化合物により修飾し、且つ有機半導体材料として下記一般式(1)で示される化合物を用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
FI (5件):
H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616U
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
Fターム (56件):
5F110AA01
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF22
, 5F110FF23
, 5F110FF24
, 5F110FF25
, 5F110FF26
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG57
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
引用特許:
出願人引用 (2件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-324200
出願人:旭化成株式会社
-
国際公開第06/077888号パンフレット
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