特許
J-GLOBAL ID：200903003247298996
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158709
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】有機化合物からなる半導体層を備えた電界効果トランジスタとして、高い増幅率を有する電界効果トランジスタを得る。【解決手段】電界効果トランジスタの半導体層4として、ピレン、ペロピレン、テリレン、アンタンスレン、クオテリレン、オバレン、コロネン、ジベンゾコロネン、テトラベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、ベンゾジコロネン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、サーコビフェニル、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも1つの化合物からなる薄膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
互いにパラ位となる配置の二個の水素基を有するベンゼン環が存在しない縮合多環芳香族化合物、またはその誘導体からなる薄膜を半導体層として有する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/28
, H01L29/78 618B
5F110AA05
, 5F110AA09
, 5F110AA14
, 5F110AA24
, 5F110CC03
, 5F110CC09
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE08
, 5F110GG05
, 5F110GG24
, 5F110GG32
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110QQ14
