特許
J-GLOBAL ID：200903007633288437
半導体ウェーハのデバイス面の研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145864
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330894
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェーハのデバイス面を高い精度で平坦化するための研磨方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ20と研磨布12との間に研磨液を供給し、両者を押し付けながら相対運動させて、デバイス面20Aを研磨する。研磨量が目標値に達する直前に、半導体ウェーハ20と研磨布12とを離間させ、半導体ウェーハ20と研磨布12との相対運動によって前記研磨液を攪拌させながら、この研磨液のみでデバイス面20Aを研磨する。この研磨によって、研磨圧力をかけて研磨した際にデバイス面20Aに生じた傷を消すことができる。また、研磨量を高精度に制御できるので、過剰な研磨を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハと研磨布との間に研磨液を供給するとともに、半導体ウェーハと研磨布とを押し付けながら相対運動させて、半導体ウェーハのデバイス面を研磨する半導体ウェーハのデバイス面の研磨方法において、研磨終了の直前に、前記半導体ウェーハと前記研磨布とを離間させ、半導体ウェーハと研磨布との相対運動によって前記研磨液を攪拌させながら、この研磨液のみで半導体ウェーハのデバイス面を研磨する工程を設けたことを特徴とする半導体ウェーハのデバイス面の研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
H01L 21/304 321 M
, B24B 37/00 F
