特許

J-GLOBAL ID：200903007676856595

非晶質半導体薄膜の成膜方法及び装置

発明者： 竹内 良昭 ,  出口 祥啓 ,  村田 正義 ,  高野 暁己
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122244
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312969
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】安定して低欠陥密度膜の形成が可能になることを課題とする。【解決手段】プラズマCVD法による非晶質半導体薄膜の製造装置において、SiHラジカルを加熱するメッシュ状のラジカル加熱ヒータ24と、SiHラジカル回転温度を測定するコンピュータ11などと、測定されたSiHラジカル回転温度を基にSiHラジカル回転温度を350°C以上に制御するラジカル加熱ヒータ制御装置12とを具備することを特徴とするラジカル加熱温度測定・制御機能付きプラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

基板近傍のSiHラジカル回転温度を350°C以上とし、かつ基板温度を前記ラジカル回転温度より低く保つことを特徴とする非晶質半導体薄膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241338   出願人：鐘淵化学工業株式会社, 工業技術院長