特許

J-GLOBAL ID：200903092086795113

半導体の製造方法

発明者： 西尾 仁 ,  ガウタム ガングリー ,  松田 彰久
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社 ,  工業技術院長
代理人 (2件)： 柳野 隆生 ,  柳野 隆生 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241338
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099159
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】気相成長によるテトラヘドラル系非晶質半導体のバルク中の欠陥密度を低い基板温度において低減し、これらを太陽電池等へ応用する際に電気特性を向上させることのできる半導体の製造方法を提供するものである。【構成】反応容器内にメッシュ発熱体を配置し、半導体の成長中に前記メッシュ発熱体を加熱することによって気相に熱エネルギーを与えるものであり、前記メッシュ発熱体をメッシュ電極とし、このメッシュ電極を通電によって加熱することを併せて提案するものである。

請求項（抜粋）：

気相成長による半導体の製造方法であって、反応容器内にメッシュ発熱体を配置し、半導体の成長中に前記メッシュ発熱体を加熱することによって気相に熱エネルギーを与える半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 3極プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-019194   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭63-228610
  
• 特開昭62-149880
  

審査官引用 (3件)

• 3極プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-019194   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭63-228610
  
• 特開昭62-149880