特許

J-GLOBAL ID：200903007688575052

電界効果型トランジスタ

発明者： 饗場 利明 ,  加地 信幸 ,  佐野 政史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283893
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158307
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】 新規な電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 活性層とゲート絶縁膜とを有する電界効果型トランジスタであって、 該活性層は、結晶領域215を含有する非晶質酸化物層210からなり、且つ該結晶領域は、該非晶質酸化物層と該ゲート絶縁膜220との界面近傍にあるか、または界面に接していることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

活性層とゲート絶縁膜とを有する電界効果型トランジスタであって、 該活性層は、 非晶質領域と、 結晶領域と、 を含む非晶質酸化物層からなり、且つ 該結晶領域は、該非晶質酸化物層と該ゲート絶縁膜との界面近傍にあるか、または界面に接していることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (1件)：

H01L29/78 618B

Fターム (28件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第2005/088726号パンフレット
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-087371
  
• 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-079273   出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司