特許
J-GLOBAL ID：200903043837250958

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス

発明者：
杉原 利典

杉原 利典 について

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大野 英男

大野 英男 について

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川崎 雅司

川崎 雅司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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大野 英男

大野 英男 について

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川崎 雅司

川崎 雅司 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079273
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033172
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 酸化亜鉛を活性層に用い、かつ活性層を雰囲気と隔絶する保護層の付与された半導体装置の実使用を可能にする。【解決手段】 薄膜トランジスタ1において、絶縁性基板2上のゲート電極3の上に、ゲート絶縁層4を介して半導体層5が積層され、その上にソース電極6とドレイン電極7とが形成され、さらにその上を覆う保護層8が形成されて、半導体層5を雰囲気から隔絶している。半導体層5(活性層)は、例えばV族元素が添加されたZnOの多結晶状態の半導体を用いて形成される。ZnOは、保護層8により表面準位が減少し、内部への空乏層が拡がりが解消されるので、本来の抵抗値を示すn型半導体となり、自由電子が過剰な状態になる。添加された元素はZnOに対してアクセプタ不純物として働くので、過剰な自由電子が減少する。これにより、過剰な自由電子を排除するためのゲート電圧が低下するので、しきい値電圧が0V付近となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ZnOまたはMgxZn1-xOの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体から成り、I族、III族、IV族、V族またはVII族の元素が添加されている活性層と、 前記活性層を、前記活性層において可動電荷が移動する領域が雰囲気の影響を受けない範囲で雰囲気から隔絶する隔絶体とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L29/786
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A
Fターム (34件)：
5F110AA08 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG55 ,  5F110HK03 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ24
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • トランジスタ及び半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326889   出願人：科学技術振興事業団
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
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審査官引用 (3件)

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