特許
J-GLOBAL ID：200903007688728908
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135514
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 超格子構造の発光層の上にクラッド層等の半導体層を形成するとき発光層の最上層にくるバリア層の表面が消失し、当該バリア層が薄くなって発光波長がシフトする。【解決手段】 第1の半導体層を形成し、該第1の半導体層の上にInY1Ga1-Y1N(Y1≧0)からなるバリア層、InY2Ga1-Y2N(Y2>Y1かつY2>0)からなる量子井戸層を積層して超格子構造の発光層を形成し、該発光層の上に第2の半導体層を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記発光層の最上層となる最上バリア層を他のバリア層よりも厚く形成する。そして、第2の半導体層を形成するとき、最上バリア層の上面を消失させてその厚さを他のバリア層の厚さと実質的に同一とする。
請求項（抜粋）：
n伝導型のGaNからなる第1の半導体層と、該第1の半導体層の上に形成され、意図的な不純物がドープされていないInY1Ga1-Y1N(Y1≧0)からなるバリア層、意図的な不純物がドープされていないInY2Ga1-Y2N(Y2>Y1かつY2>0)からなる量子井戸層を積層してなる超格子構造の発光層と、該発光層の上に形成され、p伝導型のAlGaNからなる第2の半導体層と、を含み、前記発光層において前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層と接する層が前記バリア層であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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