特許
J-GLOBAL ID：200903007689727050

メモリデバイス及びその製造方法、並びに電子機器

発明者：
桜井 和徳

桜井 和徳 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350183
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168294
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 回路構成が単純であり、かつコンパクトな積層タイプのメモリデバイスを提供する。【解決手段】 各メモリ層をX方向線状電極とY方向線状電極の交差位置にメモリセルが形成される単純マトリクス構造とし、かかるメモリ層を積層してメモリデバイスを形成する。積層したメモリ層のうち複数層に関して、X方向もしくはY方向のいずれか一方の線状電極は前記複数層間で短絡しており、他方の線状電極は前記複数層間で独立して電圧印加可能に構成する。
請求項（抜粋）：
メモリ層を積層したメモリデバイスであって、各メモリ層はX方向線状電極とY方向線状電極の交差位置にメモリセルが形成される単純マトリクス構造となっており、積層したメモリ層のうち複数層に関して、X方向もしくはY方向の少なくとも一方の線状電極は前記複数層間で短絡しており、他方の線状電極は前記複数層間で独立して電圧印加可能に構成されていることを特徴とするメモリデバイス。
IPC (2件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/00 301
FI (2件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/00 301 C
Fターム (14件)：
5F083FR01 ,  5F083GA10 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の実装構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-351583   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開平2-154388
  • 特開昭62-194664
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の実装構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-351583   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開平2-154388
  • 特開昭62-194664

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