特許

J-GLOBAL ID：200903007690731118

内部電源電圧発生回路

発明者： 浮田 求 ,  石垣 佳之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-000612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199242
出願日： 1997年01月07日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 降圧幅を増大させるとともに、外部電源電圧の変動の影響を受けにくい内部電源電圧を発生させる内部電源電圧発生回路を提供する。【解決手段】 外部電源ノード30と内部電源ノード31との間に接続されたNチャネルMOSトランジスタNT2と、外部電源ノード30とNチャネルMOSトランジスタNT2のゲートとの間に接続された抵抗素子Rと、NチャネルMOSトランジスタNT2のゲートと接地ノードとの間に直列に接続され、かつ、ダイオード接続されたPチャネルMOSトランジスタPT1〜PT5とを備える。

請求項（抜粋）：

外部電源ノードと内部電源ノードとの間に接続された第1のNチャネルMOSトランジスタと、前記外部電源ノードと前記第1のNチャネルMOSトランジスタのゲートとの間に接続された少なくとも1つの第1の抵抗素子と、前記第1のNチャネルMOSトランジスタのゲートと接地ノードとの間に直列に接続された少なくとも1つのダイオード素子とを備える内部電源電圧発生回路。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-014249   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社