特許
J-GLOBAL ID：200903007691748448
半導体製造方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-125593
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312278
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 被処理物の処理における終点誤検出を防止する。【解決手段】 ベルジャ4によって覆われかつ半導体ウェハ1にドライエッチングが行われるエッチング処理部5と、マイクロ波6aを発振してプラズマ光7を発生させるマグネトロン6と、ドライエッチングを終了させる終点検出手段3とからなり、終点検出手段3によって、ドライエッチング時のプラズマ光7に含まれる所定波長光7aの発光強度を監視しかつ前記発光強度の予め設定した第1設定値から第2設定値に変化する時間が、予め設定した終点検出時間以上になった時点でドライエッチングを終了させる。
請求項（抜粋）：
被処理物に所望の処理を行う際に、前記被処理物における処理状態の予め設定した第1処理状態から第2処理状態に変化する時間が、予め設定した終点検出時間以上になった時点で前記処理を終了することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, G01N 21/66
, H01L 21/306
H01L 21/302 E
, C23F 4/00 F
, G01N 21/66
, H01L 21/306 U
