特許
J-GLOBAL ID：200903007708903728

プラズマ処理方法および磁気記憶装置の製造方法

発明者：
西木戸 健樹

西木戸 健樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090982
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277249
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】磁性体材料を含む膜のエッチング後のプラズマ処理を、水素を含む混合ガスのプラズマ雰囲気中もしくは水素を含む少なくとも一種類のガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中に磁性体材料を含む膜をさらすことで、磁性体材料を含む膜の電気的ショートを防止することを可能とする。【解決手段】磁性体材料を含む膜(磁化自由層33)をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜(磁化自由層33)をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁性体材料を含む膜をエッチング加工した後、 水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中に前記エッチング加工した磁性体材料を含む膜をさらす処理を行う ことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (4件)：
H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/302 106 ,  H01L27/10 447
Fターム (18件)：
5F004AA14 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB26 ,  5F004DB29 ,  5F004FA08 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083PR03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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