磁性メモリ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109166
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305290
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。【解決手段】本発明による磁性メモリの製造方法は、金属強磁性体により磁性体膜(6)を基板(1)の上面側に形成することと、無機物により磁性体膜(6)の上面に接触する無機物膜(7、8)を形成することと、無機物膜(7、8)の上面に、レジストによりレジストパターン(9)を形成することと、レジストパターン(9)をマスクとして無機物膜(7、8)をエッチングし、マスクパターン(7’、8’)を形成することと、レジストパターン(9)を除去することと、レジストパターンが除去された後、マスクパターン(7’、8’)をマスクとして磁性体膜(6)をエッチングすることとを備えている。磁性体膜(6)のうちマスクパターン(7’、8’)と接触する接触部分は、レジストパターンの除去の際に露出されず、従って、その接触部分は酸化されにくい。

請求項（抜粋）：

磁性体膜からなる磁性メモリの製造方法において、ハードマスクをマスクとして使用することにより前記磁性体膜をパターニングすることを特徴とする磁性メモリの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 41/18 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (6件)：

H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 41/18 , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , H01L 27/10 447

Fターム (20件)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049FC01 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083PR03 , 5F083PR07 , 5F083PR10 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122085 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058777 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-283068 出願人：株式会社東芝

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