パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鐘尾宏紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347661
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148820
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】化学増幅型フォトレジスト及び処理剤を用いて、プロセス環境、特に、浮遊塩基種による影響を低減し、良好な形状を有するレジストパターンを形成する方法及びこの方法に用いられる処理剤を提供する。【解決手段】基板上に化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜上にpHが1.3〜4.5である有機酸含有処理剤を塗布する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程および前記処理剤を塗布する工程の少なくともいずれかの工程の後においてベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を選択的に露光する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を露光後ベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜の現像を行う工程を含み、現像処理前の前記化学増幅型フォトレジスト上の前記処理剤を水洗・スピンドライした後の未露光部の現像液接触角が前記処理剤を適用しない場合に比べ10°〜110°減少せしめるレジストパターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜上にpHが1.3〜4.5である処理剤を塗布する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程および前記処理剤を塗布する工程の少なくともいずれかの工程の後においてベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を選択的に露光する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を露光後ベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜の現像を行う工程を含み、現像処理前の前記化学増幅型フォトレジスト上の前記処理剤を水洗し、スピンドライした後の未露光部のフォトレジスト膜の現像液接触角が前記処理剤を適用しない場合に比べ10°〜110°減少したものであることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/38 , G03F 7/039 601 , G03F 7/26 501 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/38 , G03F 7/039 601 , G03F 7/26 501 , H01L 21/30 575

Fターム (24件)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096DA01 , 2H096DA04 , 2H096EA04 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 2H096LA19 , 5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (1件)

反射防止コーティング用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-154344 出願人：クラリアントジャパン株式会社, 大日本インキ化学工業株式会社

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