特許

J-GLOBAL ID：200903039486382480

反射防止コーティング用組成物

発明者： 高野 祐輔 ,  田中 初幸 ,  高野 聖史 ,  橋本 豊
出願人/特許権者： クラリアント ジャパン 株式会社 ,  大日本インキ化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349857
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【目的】レジストの種類、基板の表面形状を問うことなく、少量の滴下量でレジスト膜上に均一にコーティングでき、定在波効果、多重反射効果、露光後の放置時間の経過によりもたらされるT字型パターン形状及びパターンの寸法変動の発生のない反射防止コーティング用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【構成】基板上に形成されたフォトレジスト膜上に、少なくとも下記(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)を含有し、且つpHが1.3〜3.3である反射防止コーティング用組成物を塗布して反射防止膜を形成した後、露光、現像してレジストパターンを得る。(A)一般式 Cn F2n+1SO3 H(式中、nは4〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホン酸(B)有機アミン(C)水溶性重合体(D)一般式 Cn F2n+1SO2 NH2 (式中、nは1〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホンアミド(E)水

請求項（抜粋）：

少なくとも下記(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)を含有し、且つpHが1.3〜3.3であることを特徴とする反射防止コーティング用組成物。(A)一般式Cn F2n+1SO3 H (I)(式中、nは4〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホン酸(B)有機アミン(C)水溶性重合体(D)一般式Cn F2n+1SO2 NH2 (II)(式中、nは1〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホンアミド(E)水

IPC (7件)：

C09D 5/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D133/02 ,  C09D139/06 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

C09D 5/00 M ,  C09D 7/12 Z ,  C09D133/02 ,  C09D139/06 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト表面反射防止膜形成性組成物及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-126265   出願人：三菱化成株式会社
• 反射防止コーティング用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129056   出願人：ヘキストインダストリー株式会社