特許

J-GLOBAL ID：200903007772391285

ラミネート電橋を備えた電子的爆破装置

発明者： トーマス・エイ・バジンスキー ,  トッド・エス・パーカー ,  ウィリアム・デイビッド・ファヘイ
出願人/特許権者： エヌケイエヌエム・リミテッド ,  オーバーン・ユニバーシティ
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-525438
公開番号（公開出願番号）：特表2004-513319
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

半導体電橋(SCB)装置である。ある実施形態においては、本SCB装置は絶縁性材料の上端部にラミネート層を含んでおり、前記ラミネート層は少なくとも2つの反応性材料からなる一連の層を有し、また前記ラミネート層は実質的に絶縁性材料の表面領域を覆う2つの比較的大きな部分を有し、電橋部が前記2つの比較的大きな部分をつないでいる。少なくとも1つの導電性接点パッドが前記一連の層のうちの少なくとも1つに接続され、前記導電性接点パッドを流れる所定の電流により、電橋部が前記ラミネート層に生じる反応を開始させる。ある実施形態においては、前記SCB装置は、前記絶縁性材料と他の、金属のような材料との接合により形成されるインテグレーテッド・ダイオードを有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの反応性材料を含む一連の層を備え、かつ、 絶縁性材料の表面領域を実質的に覆う2つの相対的に大きな部分、および、 前記2つの相対的に大きな部分を結ぶ電橋部を有するラミネート層を有し、 少なくとも1つの導電性接点パッドが前記一連の層の少なくとも1つと接続され、前記少なくとも1つの導電性接点パッドを流れる所定の電流が前記電橋部に前記ラミネート層を巻き込んだ反応を開始させる、半導体電橋(SCB)装置。

IPC (1件)：

F42B3/13

FI (1件)：

F42B3/13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜発火素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-213144   出願人：進工業株式会社