半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331150
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着する半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制でき、高信頼性の高い電力用半導体装置を実現する。【解決手段】半導体素子11と、絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁基板12と、半導体素子と絶縁基板とを固着する第1の半田層18と、金属放熱板13と、金属放熱板上に絶縁基板の裏面メタルが対接した状態で両者を固着し、その固着部における中央部よりも周辺部の方が厚くなるように形成された第2の半田層14とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁基板と、前記半導体素子と絶縁基板とを固着する第1の半田層と、金属放熱板と、前記金属放熱板上に前記絶縁基板の裏面メタルが対接した状態で両者を固着し、その固着部における中央部よりも周辺部の方が厚くなるように形成された第2の半田層とを具備することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

放熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-141901 出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社

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